Ръководство за лабораторни упражнения по електронни и полупроводникови елементи и интегрални микросхеми
Марин Христов, Таничка Василева
За особеностите на екземпляра
✕
- СъстояниеМного добро
- НаличностЕкземплярът е продаден.Има налични други екземпляри от същата книга - вижте вдясно или най-долу.
- Задай въпрос относно екземпляра
- Моля, влезте през "Вход", за да зададете въпрос за книгата.Не можете да напишете съобщение, защото екземплярът е продаден. Ако Вие сте го поръчали, можете да напишете съобщение към поръчката.
- Търговец
За изданието
- ИздателствоТехника
- Град на издаванеСофия
- Година1988 г.
- ЕзикБългарски
- Страници216
- КорициТвърди
- Категория
- Ширина (мм)145
- Височина (мм)215
СЪДЪРЖАНИЕ
Увод................................................................................3
1. Свойства на полупроводниковите материали. 9
1.1. Концентрация на подвижните носители на заряд в полупроводника ...................9
1.2. Подвижност на токоносителите............................................13
1.3. Специфична електропроводимост..........................................16
Упражнение № 1. Изследване на концентрацията на токоносителите в полупроводникови материали .........18
Упражнение № 2. Изследване на подвижността на токоносителите в полупроводникови материали ...........21
Упражнение № 3. Изследване на специфичната проводимост на полупроводници ..............24
2. Полупроводникови диоди......................27
2.1. Равновесно състояние на PN прехода......................................27
2.2. Неравновесно състояние на PN прехода..................................30
2.3. Волт-амперна характеристика на идеализиран диод......................32
2.4. Физични ефекти при реалните диоди........................................33
2.5. Пробиви в PN прехода........................................................35
2.6. Импулсни свойства на PN прехода..........................................38
2.7. Параметри на диодите........................................................40
2.8. Ценеров и тунелен диод......................................................42
Упражнение № 4. Изследване на идеален и реален PN преход.............45
Упражнение № 5. Изследване на полупроводникови диоди....................49
Упражнение № 6. Изследване на ценеров и тунелен диод......................54
Упражнение № 7. Изследване на импулсните свойства на полупроводникови диоди................58
3. Биполярни транзистори......................62
3.1. Устройство и принцип на действие..........................................62
3.2. Статични характеристики..................................................67
3.3. Параметри на транзистора като четириполюсник. Л-параметри..........70
3.4. Динамичен режим на работа на транзистора..............................77
3.5. Честотни свойства............................................................82
3.6. Импулсни свойства.................................86
Упражнение № 8. Изследване на биполярен транзистор с ЕИМ..............91
Упражнение № 9. Изследване на статичните характеристики на биполярен транзистор......................................................................95
Упражнение № 10. Изследване на зависимостта на /г-параметрите на транзистора в схема общ емитер от режима на работа............. 100
Упражнение № 11. Изследване на зависимостта на /г-параметрите на транзистора в схема общ емитер от температурата................104
Упражнение № 12. Изследване на транзистор в динамичен режим в схеми на свързване общ емитер, обща база и общ колектор.............107
Упражнение № 13. Изследване на честотните свойства на биполярен транзистор...................................113
Упражнение № 14. Изследване на импулсните свойства на биполярен транзистор.....115
4. MOS транзистори................ 117
4.1. Устройство и принцип на действие.....................117
4.2. Статични характеристики на MOS транзисторите............120
4.3. Основни параметри..............................123
Упражнение № 15. Изследване на MOS транзистор с ЕИМ.........125
Упражнение № 16. Изследване на характеристиките на MOS транзистор .............129
5. Тиристори.................... 133
5.1. Устройство и принцип на действие.....................133
5.2. Основни параметри.............................137
Упражнение № 17. Изследване на тиристор с ЕИМ..............141
Упражнение № 18. Изследване на характеристиките на тиристор......145
6. Оптоелектронни прибори...........148
6.1. Фотоприемници...............................148
6.2. Излъчватели.................................155
6.3. Онтрони....................................158
Упражнение № 19. Изследване на оптоелектронни прибори........ . 161
7. Интегрални схеми............... 164
Упражнение № 20. Изследване на транзисторни структури и интегрални схеми......................................173
8. Електровакуумни прибори.......... 177
8.1. Триод.....................................177
8.2. Тетрод...................................182
8.3. Пентод........................ 185
8.4. Статични параметри на тетрода и пентода.................187
8.5. Електроннолъчеви тръби..........................188
Упражнение № 21. Изследване на триод.....................197
Упражнение № 22. Изследване на тетрод и пентод...............201
Упражнение № 23. Изследване на електроннолъчева тръба.........204
Приложения....................................207
Приложение 1. Графични означения на някои полупроводникови елементи в електронните схеми ............................ 207
Приложение 2. Английски съкращения, често използувани в електрониката и изчислителната техника ........................... 209
Литература.....................................214
УДК 621.385 (075.8)
Ръководството за лабораторни упражнения по електронни и полупроводникови елементи и интегрални микросхеми е предназначено за студентите от всички специалности на факултетите по радиоелектроника и автоматика на ВМЕИ "В-И. Ленин" — София. Описани са 23 упражнения, в които се изследват основните характеристики и параметри на най-често използуваните електронни и полупроводникови елементи. Ръководството може да се ползува и от студенти от други висши учебни заведения, изучаващи сродни дисциплини, от инженери и техници, работещи в тази област.
Глави 3, 4 и 5 са написани от доц. к. т. н. инж. М. Христов, а глави 1, ‘2. 6, 7 и 8— от к. т. н. инж. Т. Василева.
С Марин Христов Христос Таня Крумова Василева, 1988
с/о Jusautor, Sofia 621.3
Увод................................................................................3
1. Свойства на полупроводниковите материали. 9
1.1. Концентрация на подвижните носители на заряд в полупроводника ...................9
1.2. Подвижност на токоносителите............................................13
1.3. Специфична електропроводимост..........................................16
Упражнение № 1. Изследване на концентрацията на токоносителите в полупроводникови материали .........18
Упражнение № 2. Изследване на подвижността на токоносителите в полупроводникови материали ...........21
Упражнение № 3. Изследване на специфичната проводимост на полупроводници ..............24
2. Полупроводникови диоди......................27
2.1. Равновесно състояние на PN прехода......................................27
2.2. Неравновесно състояние на PN прехода..................................30
2.3. Волт-амперна характеристика на идеализиран диод......................32
2.4. Физични ефекти при реалните диоди........................................33
2.5. Пробиви в PN прехода........................................................35
2.6. Импулсни свойства на PN прехода..........................................38
2.7. Параметри на диодите........................................................40
2.8. Ценеров и тунелен диод......................................................42
Упражнение № 4. Изследване на идеален и реален PN преход.............45
Упражнение № 5. Изследване на полупроводникови диоди....................49
Упражнение № 6. Изследване на ценеров и тунелен диод......................54
Упражнение № 7. Изследване на импулсните свойства на полупроводникови диоди................58
3. Биполярни транзистори......................62
3.1. Устройство и принцип на действие..........................................62
3.2. Статични характеристики..................................................67
3.3. Параметри на транзистора като четириполюсник. Л-параметри..........70
3.4. Динамичен режим на работа на транзистора..............................77
3.5. Честотни свойства............................................................82
3.6. Импулсни свойства.................................86
Упражнение № 8. Изследване на биполярен транзистор с ЕИМ..............91
Упражнение № 9. Изследване на статичните характеристики на биполярен транзистор......................................................................95
Упражнение № 10. Изследване на зависимостта на /г-параметрите на транзистора в схема общ емитер от режима на работа............. 100
Упражнение № 11. Изследване на зависимостта на /г-параметрите на транзистора в схема общ емитер от температурата................104
Упражнение № 12. Изследване на транзистор в динамичен режим в схеми на свързване общ емитер, обща база и общ колектор.............107
Упражнение № 13. Изследване на честотните свойства на биполярен транзистор...................................113
Упражнение № 14. Изследване на импулсните свойства на биполярен транзистор.....115
4. MOS транзистори................ 117
4.1. Устройство и принцип на действие.....................117
4.2. Статични характеристики на MOS транзисторите............120
4.3. Основни параметри..............................123
Упражнение № 15. Изследване на MOS транзистор с ЕИМ.........125
Упражнение № 16. Изследване на характеристиките на MOS транзистор .............129
5. Тиристори.................... 133
5.1. Устройство и принцип на действие.....................133
5.2. Основни параметри.............................137
Упражнение № 17. Изследване на тиристор с ЕИМ..............141
Упражнение № 18. Изследване на характеристиките на тиристор......145
6. Оптоелектронни прибори...........148
6.1. Фотоприемници...............................148
6.2. Излъчватели.................................155
6.3. Онтрони....................................158
Упражнение № 19. Изследване на оптоелектронни прибори........ . 161
7. Интегрални схеми............... 164
Упражнение № 20. Изследване на транзисторни структури и интегрални схеми......................................173
8. Електровакуумни прибори.......... 177
8.1. Триод.....................................177
8.2. Тетрод...................................182
8.3. Пентод........................ 185
8.4. Статични параметри на тетрода и пентода.................187
8.5. Електроннолъчеви тръби..........................188
Упражнение № 21. Изследване на триод.....................197
Упражнение № 22. Изследване на тетрод и пентод...............201
Упражнение № 23. Изследване на електроннолъчева тръба.........204
Приложения....................................207
Приложение 1. Графични означения на някои полупроводникови елементи в електронните схеми ............................ 207
Приложение 2. Английски съкращения, често използувани в електрониката и изчислителната техника ........................... 209
Литература.....................................214
УДК 621.385 (075.8)
Ръководството за лабораторни упражнения по електронни и полупроводникови елементи и интегрални микросхеми е предназначено за студентите от всички специалности на факултетите по радиоелектроника и автоматика на ВМЕИ "В-И. Ленин" — София. Описани са 23 упражнения, в които се изследват основните характеристики и параметри на най-често използуваните електронни и полупроводникови елементи. Ръководството може да се ползува и от студенти от други висши учебни заведения, изучаващи сродни дисциплини, от инженери и техници, работещи в тази област.
Глави 3, 4 и 5 са написани от доц. к. т. н. инж. М. Христов, а глави 1, ‘2. 6, 7 и 8— от к. т. н. инж. Т. Василева.
С Марин Христов Христос Таня Крумова Василева, 1988
с/о Jusautor, Sofia 621.3
За поръчка
Налични екземпляри от книгата
Други предложения
Други екземпляри от книгата
Книги от същия автор
Няма други книги с това изписване на имената на автора.